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化學(xué)機(jī)械拋光液全品類產(chǎn)品矩陣

化學(xué)機(jī)械拋光是集成電路芯片制造過程中實(shí)現(xiàn)晶圓全局均勻平坦化的關(guān)鍵工藝，化學(xué)機(jī)械拋光液是化學(xué)機(jī)械拋光工藝過程中使用的主要化學(xué)材料。根據(jù)拋光對(duì)象不同，公司化學(xué)機(jī)械拋光液包括銅及銅阻擋層拋光液、介電材料拋光液、鎢拋光液、基于氧化鈰磨料的拋光液、襯底拋光液和用于新材料新工藝的拋光液等產(chǎn)品。目前公司銅及銅阻擋層系列化學(xué)機(jī)械拋光液，可以滿足國(guó)內(nèi)芯片制造商的需求，并已在海外市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)突破；其他系列化學(xué)機(jī)械拋光液已供應(yīng)國(guó)內(nèi)外多家芯片制造商，具體生產(chǎn)規(guī)模會(huì)根據(jù)客戶需求量進(jìn)行調(diào)節(jié)。

銅及銅阻擋層化學(xué)機(jī)械拋光液

用于集成電路制造工藝中銅互連的平坦化，產(chǎn)品已在邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片等制程上量產(chǎn)使用。持續(xù)研發(fā)并驗(yàn)證用于下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)用的產(chǎn)品。

鎢化學(xué)機(jī)械拋光液

用于集成電路制造工藝中金屬鎢的去除和平坦化。目前鎢拋光液在存儲(chǔ)芯片和邏輯芯片領(lǐng)域的應(yīng)用范圍和市場(chǎng)份額持續(xù)穩(wěn)健上升，公司緊跟行業(yè)領(lǐng)先客戶的先進(jìn)制程，提前進(jìn)行技術(shù)平臺(tái)的布局及技術(shù)能力的積累, 多款鎢拋光液在先進(jìn)制程通過驗(yàn)證并順利實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

介電材料化學(xué)機(jī)械拋光液

用于集成電路制造工藝中介電材料如二氧化硅、氮化硅等的去除和平坦化。產(chǎn)品已在邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片等制程上量產(chǎn)使用。

基于二氧化鈰磨料的拋光液

用于集成電路制造工藝中淺槽隔離和其他需要高速去除二氧化硅的拋光工藝中。基于二氧化鈰磨料的拋光液具有高速去除二氧化硅、高選擇比、高平坦化效率等優(yōu)點(diǎn)，并且可以根據(jù)客戶需要開發(fā)多種新產(chǎn)品并順利實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

襯底化學(xué)機(jī)械拋光液

用于硅襯底材料的拋光，包括硅粗拋液、硅精拋液等產(chǎn)品系列。安集緊跟國(guó)內(nèi)大硅片企業(yè)的發(fā)展和打造材料自主可控能力的趨勢(shì)，充分了解客戶的需求后定制化開發(fā)拋光液產(chǎn)品，公司研發(fā)的新型硅拋光液在客戶端順利上線。

用于新材料新工藝的化學(xué)機(jī)械拋光液

依托化學(xué)機(jī)械拋光液技術(shù)及產(chǎn)品平臺(tái)，緊密配合客戶制程需求，研制開發(fā)用于新技術(shù)、新工藝的化學(xué)機(jī)械拋光液。包括用于先進(jìn)封裝技術(shù)中的TSV通孔拋光液和混合鍵合拋光液，以及適用于聚合物和碳等新材料的拋光液。多個(gè)產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)供應(yīng)。

功能性濕電子化學(xué)品領(lǐng)先技術(shù)節(jié)點(diǎn)多產(chǎn)品線布局

功能性濕電子化學(xué)品是指通過配方技術(shù)達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的配方類濕電子化學(xué)品。目前，公司功能性濕電子化學(xué)品主要包括刻蝕后清洗液、光刻膠剝離液、拋光后清洗液和刻蝕液系列產(chǎn)品?？涛g后清洗液、光刻膠剝離液、拋光后清洗液已經(jīng)廣泛應(yīng)用于8英寸、12英寸晶圓的集成電路制造領(lǐng)域。

刻蝕后清洗液

鋁刻蝕后清洗液

產(chǎn)品應(yīng)用于集成電路鋁制程工藝金屬線、通孔及金屬焊盤（pad）蝕刻殘留物去除，提供優(yōu)異的蝕刻殘留物去除能力、低成本。產(chǎn)品已在8英寸及12英寸邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片等領(lǐng)域量產(chǎn)。

銅刻蝕后清洗液

應(yīng)用于集成電路銅互連大馬士革工藝蝕刻殘留物去除。產(chǎn)品具有優(yōu)異的蝕刻殘留物去除能力、低缺陷、低成本。產(chǎn)品已經(jīng)在邏輯芯片多個(gè)制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)、3D NAND、DRAM等存儲(chǔ)芯片、CIS等特色工藝及2.5D/3D工藝量產(chǎn)。

TiN硬掩模刻蝕后清洗液

用于集成電路28nm及以下先進(jìn)工藝大馬士革工藝，提供TiN 硬掩模去除及刻蝕后聚合物清洗方案，產(chǎn)品已經(jīng)批量量產(chǎn)。

刻蝕液

選擇性刻蝕液

用于特殊工藝需求，提供SiGe/Si/SiN/Poly等不同材料的選擇性刻蝕方案。

CMP后清洗液

銅化學(xué)機(jī)械拋光后清洗

提供酸性、堿性銅拋光后清洗液體系，用于不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)銅拋光后清洗，有效去除拋光后殘留物并保護(hù)銅。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于90~40nm成熟技術(shù)節(jié)點(diǎn)、28nm及以下先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，提供優(yōu)異銅拋光后清洗及基材保護(hù)技術(shù)方案。

光刻膠剝離液

應(yīng)用于晶圓級(jí)封裝、MEMS等先進(jìn)封裝領(lǐng)域厚膜光刻膠去除。產(chǎn)品具有>100微米光刻膠去除能力、低成本。產(chǎn)品在8英寸及12英寸晶圓級(jí)封裝（金凸點(diǎn)、焊錫凸點(diǎn)、柱狀凸點(diǎn)）、MEMS、TSV等工藝量產(chǎn)。

固化后聚酰亞胺(PI)去除

應(yīng)用于先進(jìn)封裝工藝，提供HD4100,HD8820,BL301聚酰亞胺固化后清洗方案，產(chǎn)品已經(jīng)批量量產(chǎn)。

助焊劑去除

用于先進(jìn)封裝工藝，提供錫銀凸塊回流后助焊劑清洗方案，產(chǎn)品已經(jīng)批量量產(chǎn)。

電鍍液及其添加劑強(qiáng)化及提升電鍍高端產(chǎn)品系列戰(zhàn)略供應(yīng)

電鍍是將電解液中的金屬離子通過電化學(xué)的方式沉積在陰極表面的工藝, 電鍍液是電鍍工藝中關(guān)鍵材料。目前，公司擁有銅、鎳、鎳鐵、錫銀電鍍液系列產(chǎn)品，提供集成電路制造、硅通孔及先進(jìn)封裝凸點(diǎn)、再分布線工藝等解決方案。應(yīng)用在6英寸、8英寸、12英寸工藝。

銅電鍍液及添加劑

用于集成電路大馬士革工藝、硅通孔、先進(jìn)封裝凸點(diǎn)及再分布線等工藝，提供高純銅電鍍方案。產(chǎn)品在先進(jìn)封裝已經(jīng)批量量產(chǎn)，集成電路大馬士革工藝及硅通孔工藝驗(yàn)證中。

鎳電鍍液

用于先進(jìn)封裝凸點(diǎn)等工藝，起到異種金屬間的阻斷作用。產(chǎn)品批量量產(chǎn)，提供高純、可延展性、低應(yīng)力解決方案。

鎳鐵電鍍液

用于先進(jìn)封裝、MEMS霍爾器件等技術(shù)，產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

錫銀電鍍液

用于先進(jìn)封裝凸點(diǎn)工藝等，提供低速及高速電鍍方案。

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